电子器件所能承受静电破坏的静电电压
以下是一些参考资料中给出的数据：
|
器件类型 |
静电破坏电压(V) |
器件类型 |
静电破坏电压(V) |
|
VMoS |
30～1800 |
OP-AMP |
190～2500 |
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M0SFET |
100～200 |
JEFT |
140～1000 |
|
GaAsFET |
100～300 |
SCL |
680～1000 |
|
PROM |
100 |
STTL |
300～2500 |
|
CMoS |
250～2000 |
DTL |
380～7000 |
|
HMOS |
50～500 |
肖特基二极管 |
300～3000 |
|
E／DMOS |
200～1000 |
双极型晶体管 |
380～7000 |
|
ECL |
300～2500 |
石英压电晶体 |
＜10000 |
从上表可见大部分器件的静电破坏电压都在几百至几千伏，而在干燥的环境中人活动所产生的静电可达几千伏到几万伏。
要想获得某个元器件的所能能承受的静电电压要通过试验才能测得。按照国际国内标准，一般使用静电放电敏感度测试仪：
电子元器件静电敏感度的试验主要用EST883 静电放电模拟器试验，而用电子元器件组装成组件、整机的电子设备 静电试验则用EST802静电放电发生器试验
不同的标准有不同的要求和不同的试验模型。如果要想在短时间内熟悉这些标准并掌握度试验，请参加我们组织的静电培训与咨询，您将与国际国内著名的静电专家面对面交流机会，从而解决您的实际问题。
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